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      公司簡介

      嘉興斯達半導體股份有限公司成立于2005年4月,注冊地在浙江省嘉興市南湖區,公司主營業務為以IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發生產,并以IGBT模塊形成對外實現銷售。公司總部在浙江省嘉興市,但是在上海和歐洲都有研發中心。2020年2月4日在上海證券交易所上市。

      數據來源:廣發證券

      科普小常識:IGBT是什么

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品;封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上;IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點;當前市場上銷售的多為此類模塊化產品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節能環保等理念的推進,此類產品在市場上將越來越多見;IGBT是能源變換與傳輸的核心器件,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰略性新興產業,在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

      公司主營業務為IGBT 模塊

      公司2019 年 IGBT 模塊的銷售收入占主營業務收入的比例在 97%,公司 IGBT 模塊產品豐富,種類齊全,覆蓋汽車級和工業級應用。

      數據來源:廣發證券

      行業地位:IGBT國內龍頭 全球排名第八

      據公司年報引用的IHS Markit 數據,2018年全球 IGBT 模塊供應商的全球市場份額排名中,公司全球市場份額為 2.2%,全球排名第8位,國內排名第1位,是國內唯一進入世界排名前十的中國企業。

      數據來源:廣發證券

      技術水平領先不斷投入研發

      公司已自主研發兩代 IGBT 芯片,在研的第三代芯片對接國際第七代技術。公司長期致力于 IGBT 芯片的自主研發,分別于 2012 年和 2015 年成功獨立地研發出NPT 型芯片和 FS-Trench 芯片,分別對接國際上第四、第六代芯片技術。目前,公司正在進行第三代 IGBT 芯片的研發,對接英飛凌、三菱等國際龍頭公司的第七代技術水平。

      公司創始人金光閃閃的學歷和工作經歷

      公司創始人為沈華先生和胡畏女士,沈華先生1995 年獲得美國麻省理工學院材料學博士學位,1995 年 7 月至 1999 年 7 月任西門子半導體部門高級研發工程師。2005年,沈華回國創建公司。胡畏女士1994 年獲美國斯坦福大學工程經濟系統碩士學位,1995 年至 2001 年任美國 Providian Financial 公司市場總監等職位,2005 年回國創辦公司,現任公司董事兼副總經理。

      公司擁有堅固的護城河:IGBT行業技術壁壘極高 公司優勢顯著

      IGBT模塊不但具有芯片和封裝雙重技術門檻,還具有極高的行業認證門檻。相比于國內同行,公司已經跨越了芯片和模塊封裝技術門檻,芯片自給率超50%,下游大客戶認可度高;公司在響應速度、產品交期和產品成本都具有優勢。

      先入者為王,公司競爭優勢顯著。國內IGBT龍頭,先發優勢明顯。IGBT模塊不僅應用廣泛,且是下游產品中的核心器件,一旦出現問題會導致產品無法使用,替代成本較高,因此一般下游企業都會經過較長的認證期后才會大批量采購。斯達是國內 IGBT 的領軍企業,國內其他企業進入 IGBT 模塊市場需要面臨長期較大的資金投入和市場開發的困難。隨著公司生產規模的擴大,自主芯片的批量導入,公司在供貨穩定性上的優勢會進一步鞏固,從而提高潛在競爭對手進入壁壘,先發優勢明顯。

      營業收入快速增長 2015-2019年復合增速32.6%

      2015 年至 2019 年,公司營業收入穩步增長,從 2.52 億元增長至 7.79 億元,復合增速高達 32.60%。

      數據來源:廣發證券

      凈利潤快速增長 2015-2019年凈利潤復合增速79%

      2015 年到2019 年,公司歸母凈利潤從 0.13 億元增長到 1.35 億元,年復合增速 79.5%。

      數據來源:廣發證券

      ROE遠超可比公司

      數據來源:西部證券

      相對于同行,比如士蘭微、揚杰科技、華微電子,斯達半導體的ROE遠遠超過這些公司,顯示公司的創造價值能力。

      公司未來發展的驅動因素

      一、全球IGBT市場規模有較大增長空間 未來三年有7%的年化復合增長率

      全球 IGBT2018 年市場規模為 60.9 億美元。近幾年,受益于新能源汽車行業的快速發展,全球 IGBT 市場規模持續提升。2018 年全球 IGBT 市場規模為 60.9 億美元,其中分立器件和模塊市場規模分別為 13.1和 47.8 億美元。據 IHS 預測,2023 年全球 IGBT 市場規模有望達到 85.4 億美元,年復合增長率為 7.0%。

      二、新能源汽車是IGBT市場未來最大的推動力

      新能源汽車是IGBT市場后續規模增長的核心應用。IGBT 是新能源汽車電機控制系統中負責能源轉換與傳輸的核心功率半導體器件,能夠提高電機用電效率和質量。在新能源汽車中主要用于電機控制器、車載充電器、車載空調系統以及充電樁領域。

      隨著汽車電動化水平提升,單車 IGBT 模塊價值有望持續增長。目前,在低功率的A00 車型上,單車 IGBT 價值量在 150 美元以上,在 A 級及更高功率車型上,單車 IGBT 價值量在 300 美元以上。隨著新能源汽車技術水平的不斷提升,單車功率和續航里程都將往更高的水平發展。為了滿足新能源汽車高功率的發展需求,整車廠將有望采用價值量更大的高功率 IGBT 模塊或者提升單車 IGBT 模塊用量,導致 IGBT 單車價值量的持續提升。

      環保趨嚴和補貼政策持續推動新能源汽車市場高速發展。隨著全球不斷制定更加嚴格的碳排放標準,全球新能源汽車市場迎來了高速發展。2019 年10 月,工信部發布了《新能源汽車產業發展規劃(2021-2035年)》(意見稿),規劃指出,2025年我國新能源汽車新車銷量占比要達到20%,2030年達到40%。未來新能源汽車市場快速發展,對 IGBT 模塊需求量將持續增大。

      未來三年新能源汽車IGBT 市場規模年化復合增長率為20.11%

      受益于單車 IGBT 價值量提升和新能源汽車市場的快速發展,新能源汽車IGBT 市場將迎來巨大的增長空間。據IHS統計,2018 年全球汽車IGBT 市場規模為 10.8 億美元,預測 2023 年有望達到27億美元,年復合增長率為 20.11%。

      數據來源:廣發證券

      三、新能源發電行業快速發展拉動IGBT需求

      在新能源發電行業,光伏發電和風力發電市場成長較快。過去幾年,我國積極推進風電、光伏發電發展,新能源發電行業迎來了高速增長。截止目前,我國已經成長為全球新能源并網規模最大、發展最快的國家。受益于下游用電需求的提升和國家利好政策,新能源發電行業中長期仍然有較大的成長空間。

      新能源發電行業的高速發展帶動 IGBT 需求。新能源發電輸出的電能需要經過IGBT 的逆變和變頻處理才能滿足國家電網的標準。IGBT 模塊作為光伏逆變器和風力發電逆變器的核心器件,亦將從新能源發電行業的迅速發展中獲得新的成長空間。

      數據來源:廣發證券

      四、斯達半導體市場份額較低 未來具有較大的國產替代空間

      雖然我國 IGBT 市場發展迅猛,但國外企業仍然占據主導地位。據 IHS 數據(英飛凌年報引用),2018 年全球 IGBT 市場中,英飛凌作為國際 IGBT 龍頭,在各個細分市場的市占率都處于前列。在 IGBT 模塊市場(標準+CIB),斯達 2018 年全球市占率為 2.2%,全球排名第八位。

      數據來源:廣發證券

      公司是國內 IGBT 龍頭 將分享國產替代紅利

      公司作為國內IGBT 的領先企業,在國產替代上具有較大優勢。雖然與國外競爭對手相比,公司市場份額較小,但是隨著公司產品技術水平逐漸與國際水平接軌,公司的國產替代優勢愈發明顯,主要表現在細分行業的領先優勢、快速滿足客戶個性化需求的優勢和價格競爭優勢等方面。

      中國和America之間的問題將加速IGBT 國產替代進程

      2018年以來,問題加劇,國內 IGBT 供給不足,下游 行業深受供給端影響。受trade影響,國家積極推進 IGBT 產品的國產替代,國內下游廠商在選擇供應商時也更加偏好供應穩定的國內廠商。公司自主研發的 IGBT 模塊具有核心競爭力,并實現規?;慨a,降低了對進口供應商的依賴。隨著國產替代的不斷推進,公司有望搶占更大的市場份額。未來具有較大的發展空間。

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